Том 7 (2004)


Влияние типа атомных смещений в контуре Бюргерса дислокации на электронное строение Si35

В.С. Демиденко1, А.В. Нявро1, Н.Л. Зайцев1, В.И. Симаков1

1Сибирский физико-технический институт при ТГУ, Томск, 634050, Россия

Методом рассеянных волн с Xalfa-приближением для потенциала исследовано влияние протяженных дефектов типа краевой и винтовой дислокаций на электронное строение монослоя из 35 атомов кремния, а также рассмотрены особенности электронного строения нанотрубки.

стр. 265 – 267

Образец цитирования:
В.С. Демиденко, А.В. Нявро, Н.Л. Зайцев, В.И. Симаков  Влияние типа атомных смещений в контуре Бюргерса дислокации на электронное строение Si35 // Физ. мезомех. - 2004. - Т. 7. - № Спец1. - С. 265-267


вернуться