УДК 539

DOI 10.24411/1683-805X-2019-12011

 

 

В статье с использованием обобщенной модели фототермической волны и модели двухфазного запаздывания проведены расчеты приращения температуры, компонент смещения, плотности носителей и компонент напряжений в двумерных полупроводниковых средах. С помощью преобразований Фурье и Лапласа в рамках подхода к определению собственных значений получены точные решения для всех физических величин. Исследование полупроводниковой среды проведено на примере кремния. С использованием полученных результатов проиллюстрирована разница между моделями динамической связи, Лорда-Шульмана и двухфазного сдвига.

Ключевые слова: фототермические волны, модель двухфазного запаздывания, метод собственных значений

 

A dual phase lag model of photo-thermoelastic waves in a two-dimensional semiconducting medium

In this article, the generalized model for photothermal wave under dual phase lag model is utilized to compute the increment of temperature, the components of displacement, the carrier density and the stress components in a two-dimension semiconducting media. By using Fourier and Laplace transformations with the eigenvalue techniques methodology, the exact solutions of all physical quantities are obtained. A semiconductor media such as silicon has been studied. Finally, the outcomes are represented graphically to display the difference among the models of classical dynamical coupled, the Lord and Shulman and the dual phase lag.

Keywords: photothermal waves, dual phase lag model, eigenvalues approach

 

A.D. Hobiny, I.A. Abbas  Модель двухфазного сдвига фототермоупругих волн в двумерной полупроводниковой среде // Физ. мезомех. - 2019. - Т. 22. - № 2. - С. 105-112