DOI 10.24411/1683-805X-2018-14009

УДК 621.315.592 

 

In this paper, a two-temperatures photothermoelastic interactions in an infinite semiconductor medium with a spherical cavity were studied using mathematical methods. The cavity internal surface is traction free and the carrier density is photogenerated by boundary heat flux with an exponentially decaying pulse. Laplace transform techniques are used to obtain the exact solution of the problem in the transformed domain by the eigenvalue approach and the inversion of Laplace transforms has been carried numerically. Numerical computations have been also performed for a silicon-like semiconductor material.

Keywords: semiconducting material, two temperature, Laplace transform, spherical cavity

Двухтемпературное фототермическое взаимодействие в полупроводниковой среде со сферической полостью

В работе с использованием математических методов изучено двухтемпературное фототермоупругое взаимодействие в бесконечной полупроводниковой среде со сферической полостью. Внутренняя поверхность полости свободна от нагрузки, а  плотность носителей определяется фотогенерацией граничным тепловым потоком с экспоненциально затухающим импульсом. С помощью преобразований Лапласа получено точное решение задачи в преобразованном пространстве методом собственных значений, численно выполнено обратное преобразование Лапласа. Приведены численные расчеты для полупроводникового материала типа кремния.

Ключевые слова: полупроводниковый материал, двухтемпературный, преобразование Лапласа, сферическая полость

 

 

I.A. Abbas, A.D. Hobiny  Two-temperature photothermal interactions in a semiconducting material with a 3D spherical cavity // Физ. мезомех. - 2018. - Т. 21. - № 4. - С. 85-90