Том 2 (1999)


Спонтанное возникновение дислокаций в кристалле под воздействием высоких напряжений

Е.Е. Слядников1

1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, 634021, Россия

Для описания спонтанного возникновения дислокаций и локальных статических смещений атомов в нагруженном кристалле построена микроскопическая модель. На основе этой модели найдены кинетические переменные (плотность дефектов, пластическая деформация, внутренние напряжения, связанные с генерацией дислокаций) и получена самосогласованная система уравнений, описывающая микропластическую деформацию в кристалле как неравновесный структурный переход. Стационарное решение этой системы уравнений описывает тонкое скольжение дислокаций.

стр. 57 – 68

Образец цитирования:
Е.Е. Слядников  Спонтанное возникновение дислокаций в кристалле под воздействием высоких напряжений // Физ. мезомех. - 1999. - Т. 2. - № 5. - С. 57-68


вернуться