Том 2 (1999)
- Номер 1-2 (январь-апрель 1999)
- Номер 3 (май-июнь 1999)
- Номер 4 (июль-август 1999)
- Номер 5 (сентябрь-октябрь 1999)
- Номер 6 (ноябрь-декабрь 1999)
Спонтанное возникновение дислокаций в кристалле под воздействием высоких напряжений
Е.Е. Слядников11Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, 634021, Россия
Для описания спонтанного возникновения дислокаций и локальных статических смещений атомов в нагруженном кристалле построена микроскопическая модель. На основе этой модели найдены кинетические переменные (плотность дефектов, пластическая деформация, внутренние напряжения, связанные с генерацией дислокаций) и получена самосогласованная система уравнений, описывающая микропластическую деформацию в кристалле как неравновесный структурный переход. Стационарное решение этой системы уравнений описывает тонкое скольжение дислокаций.
стр. 57 – 68
Образец цитирования:
Е.Е. Слядников Спонтанное возникновение дислокаций в кристалле под воздействием высоких напряжений // Физ. мезомех. - 1999. - Т. 2. - № 5. - С. 57-68