Том 3 (2000)


О природе шероховатости поверхности тонких диэлектрических пленок

А.В. Панин1, А.Р. Шугуров1, Л.Н. Пучкарева1

1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, 634021, Россия

Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности тонких диэлектрических пленок. Показано, что температура синтеза определяет шероховатость поверхности тонкопленочных структур. Пленки, выращенные при температурах ниже 200 оС, являются ровными. Повышение температуры осаждения до 300 оС приводит к появлению на поверхности пленок фрагментированной островковой мезоструктуры. Введение атомов селена на границу раздела “пленка – подложка” приводит к выравниванию рельефа. Обсуждаются возможные причины появления развитого рельефа на поверхности диэлектрика. Для численной оценки шероховатости поверхности тонких пленок применен фрактальный анализ.

стр. 53 – 60

Образец цитирования:
А.В. Панин, А.Р. Шугуров, Л.Н. Пучкарева  О природе шероховатости поверхности тонких диэлектрических пленок // Физ. мезомех. - 2000. - Т. 3. - № 3. - С. 53-60


вернуться