Том 5 (2002)


Молекулярно-динамическое моделирование квазистатического растяжения композиции Al/Ni вдоль границы раздела

А.В. Болеста1, И.Ф. Головнев1, В.М. Фомин 1

1Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия

Проведено молекулярно-динамическое моделирование квазистатического растяжения композиции Ni/Al вдоль границы раздела при разных вариантах кристаллографической ориентации кристаллитов, различных поперечных размерах и граничных условиях на боковой поверхности. Исследован характер распределения продольных напряжений по объему кристалла. В упругом режиме деформирования продольные напряжения вне области интерфейса толщиной около 1,5 нм хорошо описываются механикой сплошных сред. После достижения системой предела упругости на внешних или внутренних границах раздела зарождаются дефекты кристаллической решетки и распространяются по кристаллу в виде поворотов и сдвигов в кристаллических плоскостях.

стр. 15 – 21

Образец цитирования:
А.В. Болеста, И.Ф. Головнев, В.М. Фомин   Молекулярно-динамическое моделирование квазистатического растяжения композиции Al/Ni вдоль границы раздела // Физ. мезомех. - 2002. - Т. 5. - № 4. - С. 15-21


вернуться