Том 8 (2005)
- Номер 1 (январь-февраль 2005)
- Номер 2 (март-апрель 2005)
- Номер 3 (май-июнь 2005)
- Номер 4 (июль-август 2005)
- Номер 5 (сентябрь-октябрь 2005)
- Номер 6 (ноябрь-декабрь 2005)
- Номер СпецВ (декабрь 2005)
Атомные модели образования дислокаций и механического двойникования в нанокристаллах с ГЦК-решеткой
И.Ю. Литовченко1,2, Н.В. Шевченко1,2, А.Н. Тюменцев1,2, Ю.П. Пинжин1,21Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, 634021, Россия
2Сибирский физико-технический институт, Томск, 634050, Россия
Предложена атомная модель образования дислокаций и двойников деформации путем прямого плюс обратного (ГЦК-ОЦК-ГЦК) мартенситного превращения, локализованного в двух или нескольких соседних плоскостях скольжения. Показано, что в рамках этой модели хорошо описываются новые закономерности и механизмы дислокационной пластичности и механического двойникования в наноструктурных металлических материалах.
стр. 5 – 12
Образец цитирования:
И.Ю. Литовченко, Н.В. Шевченко, А.Н. Тюменцев, Ю.П. Пинжин Атомные модели образования дислокаций и механического двойникования в нанокристаллах с ГЦК-решеткой // Физ. мезомех. - 2005. - Т. 8. - № 4. - С. 5-12