Том 9 (2006)


Диффузия элементов в активированном поверхностном слое

А.Г. Князева1, С.Г. Псахье1

1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, 634021, Россия

Предложена модель диффузии легирующего элемента в поверхностном слое материала, активированного ионно-лучевым воздействием. В рамках модели процесс характеризуется временем и глубиной активации. Продемонстрировано принципиальное значение учета активации поверхностного слоя для описания формирования диффузионной зоны. Теоретически показана возможность экспериментального определения параметров модели.

стр. 49 – 54

Образец цитирования:
А.Г. Князева, С.Г. Псахье  Диффузия элементов в активированном поверхностном слое // Физ. мезомех. - 2006. - Т. 9. - № 2. - С. 49-54


вернуться